Это позволит в будущем все большему числу электромобилей оснащаться чипами последнего поколения от Bosch, улучшая их характеристики и энергоэффективность. «Полупроводники на основе карбида кремния являются одним из ключевых факторов развития электромобильности. Они контролируют поток энергии и делают это максимально эффективно».
«Благодаря нашим новым чипам на основе карбида кремния (SiC) мы укрепляем наше технологическое лидерство и помогаем нашим клиентам выводить на рынок еще более мощные и эффективные электромобили», — говорит Маркус Хейн, член правления Bosch и президент бизнес-группы Bosch Mobility. «Наша цель ясна: мы хотим стать одним из ведущих мировых производителей чипов на основе SiC».
Полупроводники на основе карбида кремния переключаются гораздо быстрее и эффективнее, чем обычные кремниевые чипы. Это снижает потери энергии и позволяет достичь более высокой плотности мощности в электронных системах. Новое поколение чипов из карбида кремния от Bosch предлагает не только технологическое, но и экономическое преимущество. «Наши чипы последнего поколения обеспечивают на 20% более высокую производительность и значительно меньше по размеру, чем чипы предыдущего поколения», — объясняет Хейн. «Эта миниатюризация является ключом к повышению рентабельности, поскольку позволяет нам производить больше чипов на одной кремниевой пластине».
С момента начала производства первого поколения в 2021 году компания Bosch поставила по всему миру более 60 миллионов SiC-чипов. В последние годы компания укрепила свои возможности как в области разработок, так и в производстве, включая чистые помещения. В рамках программ IPCEI (Важные проекты общего европейского интереса), посвященных микроэлектронике и коммуникационным технологиям, Bosch инвестировала в Европу почти 3 миллиарда евро.
На своем заводе в Ройтлингене (Германия) компания Bosch разрабатывает и производит чипы SiC третьего поколения на современных 200-миллиметровых пластинах. В начале 2025 года компания приобрела второй завод в Роузвилле, штат Калифорния, США, инвестировав дополнительно 1,9 миллиарда евро. На этом предприятии в этом году начнутся производство и поставка первых чипов SiC, первоначально в виде образцов для тестирования заказчиками. В будущем Bosch будет поставлять чипы SiC из Германии и США, укрепляя надежность и устойчивость цепочки поставок в условиях быстрой электрификации автомобильного сектора. В среднесрочной перспективе компания планирует расширить свои производственные мощности до 900 миллионов единиц в год.
Компания Bosch использует свой уникальный опыт в производственных процессах для разработки все более компактных и мощных микросхем. Компания адаптировала свой хорошо известный «процесс Bosch» — технологию травления, разработанную в 1994 году и широко признанную в отрасли.
Этот процесс, первоначально разработанный для датчиков, позволяет изготавливать высокоточные вертикальные структуры из карбида кремния, значительно увеличивая удельную мощность чипов. Этот фактор является ключевым для повышения производительности полупроводников SiC третьего поколения от Bosch.
