Устройства на основе карбида кремния (SiC), наряду с широким ассортиментом микроконтроллеров и аналоговых решений от Microchip, пополняют растущее семейство надежных продуктов на основе SiC. Эти продукты отвечают потребности в повышении эффективности, надежности и удельной мощности систем в электромобилях и других мощных приложениях в промышленном, аэрокосмическом и оборонном секторах.
В портфель силовых модулей на основе SiC от Microchip вошли 700-вольтовые SiC MOSFET-транзисторы и SiC диоды Шоттки на 700 и 1200 В. Более 35 дискретных продуктов, добавленных в портфель Microchip, доступны в больших объемах и поддерживаются широким спектром услуг по разработке, инструментами и эталонными проектами, а также исключительной надежностью, подтвержденной тщательным тестированием. Обширное семейство полупроводниковых кристаллов, дискретных компонентов и силовых модулей на основе SiC доступно в различных номинальных напряжениях и токах, а также в различных типах корпусов.
SiC MOSFET-транзисторы и диоды Шоттки от Microchip обеспечивают более эффективное переключение на более высоких частотах и превосходят показатели устойчивости, которые считаются критически важными для обеспечения долговременной надежности. SiC-диоды Шоттки от Microchip улучшают характеристики примерно на 20% по сравнению с другими SiC-диодами в тестах на устойчивость при нерегулируемом индуктивном переключении (UIS), которые измеряют, насколько хорошо устройства выдерживают деградацию или преждевременный выход из строя в случае лавинных скачков напряжения, возникающих, когда скачок напряжения превышает напряжение пробоя устройства.
