Это достижение представляет собой значительный скачок по сравнению с 8800 МТ/с Renesas RCD Gen5, устанавливая новый стандарт производительности интерфейсов памяти для серверов центров обработки данных.
Основные характеристики Renesas DDR5 Gen6 RCD
: - Увеличение полосы пропускания на 10% по сравнению с Gen5 RCD (9600 МТ/с против 8800 МТ/с)
- Обратная совместимость с платформами Gen5, обеспечивающая простоту модернизации
- Улучшенная целостность сигнала и энергоэффективность, идеально подходит для задач ИИ, высокопроизводительных вычислений и LLM
- Расширенная архитектура эквализации с обратной связью (DFE) с восемью уровнями и шагом 1,5 мВ для превосходной настройки запаса
- Механизм принятия решений и телеметрия сигналов (DESTM) для диагностики на системном уровне, отображения качества сигнала в реальном времени и высокоскоростной обратной связи
Новые модули DDR5 RDIMM необходимы для удовлетворения растущего спроса на пропускную способность памяти в приложениях искусственного интеллекта (ИИ), высокопроизводительных вычислений (HPC) и центров обработки данных. Компания Renesas сыграла ключевую роль в проектировании, разработке и внедрении этих новых модулей, сотрудничая с лидерами отрасли, включая производителей процессоров и памяти, а также конечных пользователей.
Renesas продолжает укреплять свои лидирующие позиции в области контроллеров DDR5 RDIMM, используя свой опыт в области целостности сигнала и оптимизации энергопотребления.
«Взрывной рост генеративного искусственного интеллекта приводит к увеличению количества ядер в SoC, создавая беспрецедентный спрос на пропускную способность и объем памяти», — сказал Самир Куппахалли, вице-президент подразделения интерфейсов памяти Renesas. «Наш контроллер тактовой частоты DDR5 Gen6 демонстрирует неизменную приверженность Renesas инновациям и предоставлению решений, которые предвосхищают рыночный спрос».
«Компания Samsung сотрудничает с Renesas на протяжении нескольких поколений компонентов интерфейса памяти, включая сертификацию DDR5 RCD Gen5 и PMIC5030», — сказал Индонг Ким, вице-президент по планированию продукции DRAM в Samsung Electronics. «Теперь мы рады интегрировать RCD Gen6 в наши модули DDR5 DIMM для различных платформ SoC, удовлетворяя растущие потребности в искусственном интеллекте, высокопроизводительных вычислениях и других ресурсоемких задачах, требующих большого объема памяти».
