Корпорация Toshiba расширила свой ассортимент дискретных IGBT-транзисторов 6-го поколения с надежным переключением для общего и промышленного применения, добавив в него модель GT50J342 в корпусе TO-3P(N) с номинальными значениями IC = 55A и VCES = 600V. Новая серия гарантирует VCE(sat) = 1,5V (типичное значение) при IC = 50A и tsc = 5μs (Tj ≤ 150°C) и подходит для использования в инверторах общего назначения и приводах двигателей.
Области применения: инверторы, электродвигатели общего назначения
Основные характеристики
: 1. Низкое напряжение насыщения: VCE(sat) = 1,5 В (типичное) при IC = 50 А.
2. Высокая температура перехода: Tj = 175 °C.
3. Допустимое время короткого замыкания: tsc = 5 мкс (Tj ≤ 150 °C).
4. Использование быстровосстанавливающихся диодов (FRD).
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.