Компания ROHM Semiconductor предлагает широкий ассортимент SiC MOSFET-транзисторов для всех этих применений. Но выбрать подходящий SiC MOSFET недостаточно: необходимо также использовать соответствующую микросхему драйвера затвора. Например, BM61S40RFV-C и BM61S41RFV-C обеспечивают напряжение изоляции 3750 В среднеквадратичного значения, время задержки ввода/вывода 65 нс и минимальную ширину входного импульса 60 нс. Благодаря встроенным функциям защиты, таким как защита Миллера и блокировка при пониженном напряжении (UVLO), эти микросхемы подходят для управления всеми SiC MOSFET-транзисторами ROHM. В качестве альтернативы, микросхемы драйвера затвора также могут использоваться для управления традиционными Si MOSFET-транзисторами и Si IGBT.
- Подробности
- Категория: Интегральные схемы
SiC MOSFET: микросхемы управления затвором для промышленного и автомобильного применения
Широкозонные полупроводники уже не являются чем-то из области фантастики: например, SiC MOSFET-транзисторы обещают преимущества в самых разных областях применения, от бортовых зарядных устройств и DC/DC-преобразователей в автомобильной промышленности до промышленных применений, таких как фотоэлектрические системы, системы бесперебойного питания и т. д.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.