Устройство, измеряющее высокие токи (10-100 А) с помощью силового MOSFET или IGBT, обычно требует большого резистора, что приводит к чрезмерным потерям мощности (10-30 Вт). Извлечение напряжения вдоль внутреннего резистора Rds(on) силового MOSFET или напряжения VCE(on) IGBT во время включения переключателя позволяет IR25750 исключить необходимость в больших внешних резисторах и радиаторах для измерения тока, тем самым избегая этих избыточных потерь мощности.
 
Вход управления затвором IR25750 обеспечивает напряжение питания VCC для микросхемы и синхронизирует схему измерения Rds(on) или VCE(on) со временем включения и выключения MOSFET или IGBT. Благодаря запатентованной высоковольтной технологии IR, устройство также обладает возможностью блокировки до 600 В, необходимой для блокировки высоких напряжений VDS или VCE во время выключения переключателя. Среди других важных особенностей — низкая емкость входного затвора, внутренняя задержка фильтра при проводимости (обычно 200 нс) и внутренние блокирующие стабилитроны на 20,8 В на выводах GATE и CS.
 
Новая микросхема измерения тока представляет собой инновационный функциональный блок, использующий сопротивление Rds(on) силового MOSFET или напряжение VCE(on) IGBT для измерения тока, что исключает необходимость во внешних резисторах для измерения тока. Эти особенности позволяют значительно повысить эффективность и существенно сэкономить место в сильноточных приложениях, таких как импульсная силовая электроника, управление двигателями и промышленное оборудование.
 
Интегрируя защиту от электростатического разряда и превосходную защиту от блокировки на всех входах и выходах для надежной монолитной защиты, IR25750 рассчитана на использование в промышленных условиях и имеет уровень чувствительности к влажности 1 (MSL1).

Более подробная информация или запрос цены