Среди основных областей применения этих модулей с высокой удельной мощностью — промышленные приводы и оборудование для управления двигателями, силовые инверторы для электростанций, работающих на возобновляемых источниках энергии, а также преобразователи/инверторы, необходимые для инфраструктуры электрических железных дорог.
Ключевым элементом в достижении параметров производительности новых модулей SiC MOSFET от Toshiba является запатентованная компанией технология упаковки. Корпуса iXPLV (интеллектуальная гибкая низковольтная упаковка), используемые в этих модулях, основаны на передовой технологии внутреннего соединения с использованием спеченного серебра, что обеспечивает высокий уровень эффективности работы. Они выдерживают температуру канала до 175°C и гарантируют изоляцию до 6000 В среднеквадратичного значения. Потери при переключении в режиме проводимости и отсечки поддерживаются на уровне 250 мДж и 240 мДж соответственно, а типичное значение паразитной индуктивности составляет всего 12 нГн.
Более подробная информация или запрос цены
