Созданные на основе запатентованной технологии Trench PT IGBT от Vishay, транзисторы VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP250SA60S, VS-GP300TD60S и VS-GP400TD60S обеспечивают чрезвычайно низкое напряжение коллектор-эмиттер — всего 1,10 В — и энергопотребление при выключении всего 11 мДж для выходных каскадов инвертора.
Благодаря конструкции Trench PT IGBT, эти устройства Vishay Semiconductors имеют меньшие размеры, чем планарные IGBT, что обеспечивает разработчикам более высокую плотность тока и меньшее тепловое сопротивление (переход-корпус) без ущерба для производительности. Низкое напряжение коллектор-эмиттер обеспечивает чрезвычайно низкие потери проводимости, а энергопотребление при выключении на 50% ниже, чем у устройств предыдущего поколения, что повышает эффективность и долговременную надежность.
Полумостовые IGBT-транзисторы VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP300TD60S и VS-GP400TD60S объединяют IGBT-транзисторы Trench PT с антипараллельными диодами HEXFRED® и диодами FRED PT® в одном корпусе INT-A-PAK и в двухкорпусном корпусе INT-A-PAK с очень низким профилем 17 мм. Одноключевой модуль VS-GP250SA60S выполнен в корпусе SOT-227, обеспечивающем очень низкую паразитную индуктивность ≤ 5 нГн (типичное значение), и имеет сертификат UL E78996.
Модули, соответствующие требованиям RoHS, работают на частотах до 1 кГц, имеют напряжение коллектор-эмиттер 600 В и непрерывные токи коллектора от 100 А до 400 А. Устройства могут быть установлены непосредственно на радиаторы и обеспечивают низкий уровень электромагнитных помех.

Более подробная информация или запрос цены