Благодаря возможностям всей цепочки поставок и передовым технологиям герметизации на предприятиях Rohm, модуль SiC Half-Bridge объединяет серийно выпускаемые SiC MOSFET-транзисторы и SiC SBD-транзисторы транзисторного типа в том же пространстве, что и предыдущие модули.
Компания ROHM стала пионером в разработке коммерческих силовых модулей, оснащенных SiC MOSFET и SiC SBD, и успешно осуществила серийное производство первого в отрасли траншейного MOSFET с использованием запатентованной структуры, обеспечивающей долговременную надежность. Новый модуль использует MOSFET с усовершенствованной структурой UMOS, исключая область JFET и максимально раскрывая характеристики SiC. Он обеспечивает минимальное сопротивление сток-исток наряду с высокой скоростью переключения, а благодаря чрезвычайно низкому Vf и быстрому восстановлению интегрированных SiC SBD, потери при восстановлении Err практически отсутствуют.
В результате, модуль переключения обеспечивает на 77% меньшие потери, чем обычные модули IGBT, и на 42% меньшие потери при переключении, чем планарные модули SiC, использующие структуру DMOS-SiC второго поколения. Это не только позволяет работать на высоких частотах, но и способствует уменьшению размеров систем охлаждения и периферийных компонентов, что, в свою очередь, открывает путь к большей экономии энергии и миниатюризации конечного продукта.
Новый модуль SiC теперь доступен для покупки.
