В последние годы, благодаря своим энергосберегающим преимуществам, SiC все чаще используется в устройствах, работающих от сети 1200 В, таких как электромобили и промышленное оборудование. Тенденция к увеличению удельной мощности приводит к повышению напряжения системы и, следовательно, к увеличению спроса на продукцию, рассчитанную на 1700 В. Однако проблема заключается в достижении необходимой надежности, поэтому кремниевые IGBT-транзисторы остаются предпочтительным выбором для устройств, работающих от сети 1700 В.
В ответ на это компания ROHM добилась высокой надежности в устройствах на 1700 В, сохранив при этом низкие потери, характерные для 
ее популярных продуктов на 1200 В, и осуществила первую успешную коммерциализацию силовых модулей на основе SiC на 1700 В. В BSM250D17P2E004 используются новые методы конструирования и материалы оболочки для предотвращения пробоя диэлектрика и подавления роста тока утечки. В результате достигается высокая надежность, предотвращающая пробой диэлектрика даже после 1000 часов испытаний на поляризацию при высоких температурах и высокой влажности (HV-H3TRB). Это обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В даже в суровых условиях температуры и влажности.
Благодаря интеграции хорошо известных SiC-содержащих MOSFET-транзисторов и диодов Шоттки от ROHM в один модуль и оптимизации внутренней структуры, сопротивление проводимости снижается на 10% по сравнению с другими SiC-изделиями в этом классе. Это приводит к большей экономии энергии в любом применении.
В будущем мы продолжим расширять наш ассортимент, чтобы обеспечить беспроблемное использование для клиентов, и будем работать над увеличением спроса, предлагая оценочные платы, которые позволяют легко тестировать и проверять наши SiC-модули.
Основные характеристики
1. Обеспечивает высочайший уровень надежности в условиях высоких температур и высокой влажности.
Этот инновационный модуль на 1700 В использует новый метод герметизации и материалы оболочки для защиты чипа, что позволило нам впервые успешно коммерциализировать модуль SiC на 1700 В, прошедший испытания на надежность HV-H3TRB.
Например, во время испытаний при высоких температурах и высокой влажности модуль BSM250D17P2E004 продемонстрировал превосходную надежность без сбоев — даже при подаче напряжения 1360 В в течение более 1000 часов при 85°C и 85% влажности — в отличие от обычных модулей IGBT, которые обычно выходят из строя менее чем через 1000 часов из-за пробоя диэлектрика. Для обеспечения высочайшего уровня надежности компания ROHM тестировала ток утечки модулей через различные интервалы времени при максимальном уровне блокирующего напряжения 1700 В.
2. Более высокое сопротивление проводимости способствует большей экономии энергии.
Сочетание диодов Шоттки на основе карбида кремния (от ROHM) и МОП-транзисторов в одном модуле позволяет снизить сопротивление проводимости на 10% по сравнению с другими продуктами этого класса, что способствует большей экономии энергии.
Терминология
тока утечки
: Это относится к небольшому току, который выходит за пределы изолированного уровня силового устройства. Подавление тока утечки предотвращает повреждение устройства и увеличение энергопотребления.
Испытание на обратное смещение при высоком напряжении в условиях высокой влажности и температуры (HV-H3TRB)
Этот тест оценивает долговечность силового устройства при использовании в условиях высоких температур и влажности. Он предназначен для обнаружения таких неисправностей, как пробой диэлектрика, вызванный увеличением тока утечки изоляции из-за электрического поля и влажности.
