особенно в сфере промышленного оборудования и автомобильных систем. Для данного запуска производство корпусов было передано на аутсорсинг компании ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (далее именуемой ATX), опытному поставщику услуг OSAT (аутсорсинг сборки и тестирования полупроводниковых компонентов).
Повышение эффективности двигателей и источников питания, на которые приходится большая часть мирового потребления электроэнергии, стало одной из главных задач на пути к декарбонизации общества. Поскольку силовые приборы играют ключевую роль в повышении эффективности, ожидается, что внедрение новых материалов, таких как SiC (карбид кремния) и GaN (нитрид галлия), позволит еще больше повысить эффективность источников питания.
В апреле 2023 года компания ROHM начала серийное производство своих транзисторов GaN HEMT первого поколения на 650 В, после чего выпустила интегральные схемы силовых каскадов, объединяющие драйвер затвора и транзистор GaN HEMT на 650 В в одном корпусе. На этот раз ROHM усовершенствовала продукт, интегрировав элементы второго поколения в корпус TOLL и добавив его к существующему корпусу DFN8080, чтобы расширить линейку корпусов GaN HEMT на 650 В и тем самым ответить на рыночный спрос на еще более компактные и эффективные высокомощные приложения.
Новые продукты объединяют чипы GaN-Si второго поколения в корпусе TOLL, достигая лучших в отрасли показателей по параметру, коррелирующему сопротивление в открытом состоянии и выходную нагрузку (RDS(on) × Qoss). Это способствует большей миниатюризации и энергоэффективности в силовых системах, требующих высокой устойчивости к напряжению и высокоскоростного переключения.
Для выхода на массовое производство компания ROHM использовала свои собственные технологии и опыт в проектировании устройств, накопленный благодаря вертикально интегрированной производственной системе, для осуществления проектирования и планирования. В рамках сотрудничества, объявленного 10 декабря 2024 года, технологический процесс на начальном этапе осуществляется компанией Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), а на заключительном этапе — компанией ATX. Кроме того, ROHM планирует сотрудничать с ATX для производства GaN-устройств автомобильного класса.
В ответ на растущее внедрение GaN-устройств в автомобильной отрасли, которое, как ожидается, еще больше ускорится в 2026 году, компания ROHM планирует обеспечить быстрое внедрение GaN-устройств автомобильного класса путем укрепления партнерских отношений, а также продвижения собственных разработок.
Ляо Хунчан, советник и генеральный директор ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.:
«Мы чрезвычайно рады, что компания ROHM, всемирно известная компания с передовыми технологиями производства и собственными производственными мощностями, охватывающими все этапы — от изготовления пластин до герметизации, доверила нам производство. Технический обмен с ROHM начался в 2017 году, и в настоящее время мы изучаем возможности для более глубокого сотрудничества. Это партнерство стало возможным благодаря опыту и технической экспертизе ATX в области производства GaN-устройств. В перспективе мы также планируем сотрудничать с ROHM в разработке GaN-устройств автомобильного класса. Укрепляя наше партнерство, мы стремимся внести свой вклад в энергосбережение в различных отраслях и помочь в создании устойчивого общества».
Сатоши Фудзитани, генеральный директор производственной площадки AP компании ROHM Co., Ltd.:
«Мы рады успешному производству GaN HEMT-транзисторов на 650 В в корпусе TOLL, достигнув достаточной производительности. ROHM предлагает не только автономные GaN-устройства, но и силовые решения, объединяющие их с интегральными схемами, используя опыт ROHM в аналоговых технологиях. Знания и философия, накопленные при проектировании этих продуктов, также применяются в разработке устройств. Сотрудничество с поставщиками OSAT, такими как ATX, обладающими исключительно передовыми техническими возможностями, позволяет нам оставаться впереди на быстрорастущем рынке GaN, используя сильные стороны ROHM для вывода на рынок инновационных устройств. В будущем мы продолжим улучшать характеристики GaN-устройств, чтобы способствовать дальнейшей миниатюризации и повышению эффективности в самых разных областях применения, внося свой вклад в улучшение жизни людей».
EcoGaN™
— это новая линейка GaN-устройств от ROHM, которая способствует энергосбережению и миниатюризации за счет максимального использования свойств GaN для достижения более низкого энергопотребления в приложениях, уменьшения размеров периферийных компонентов и упрощения конструкций, требующих меньшего количества деталей.
EcoGaN™ является товарным знаком или зарегистрированным товарным знаком компании ROHM Co., Ltd.
Ассортимент продукции
Примеры применения:
источники питания для серверов, базовых станций связи, промышленного оборудования и многого другого.
Адаптеры переменного тока (USB-зарядные устройства), фотоэлектрические инверторы, системы хранения энергии (SAE).
Они могут быть установлены в широкий спектр систем электропитания с выходной мощностью от 500 Вт до 1 кВт.
