Кроме того, новые устройства также обеспечивают улучшенные характеристики как в лавинном, так и в линейном режимах, что приводит к большей надежности и отказоустойчивости.
Нил Масси, менеджер по маркетингу продукции в Nexperia, комментирует: «Новые MOSFET-транзисторы LFPAK88 размером 8 x 8 мм сочетают в себе новейшую высокопроизводительную технологию суперпереходных кремниевых транзисторов с нашей проверенной технологией медных зажимов LFPAK, которая известна тем, что обеспечивает значительные преимущества в электрических и тепловых характеристиках. В результате низкое сопротивление RDS позволяет нам разместить больше кремния в корпусе, повышая плотность мощности и уменьшая габариты устройства».
Новые силовые MOSFET-транзисторы размером всего 8 x 8 x 1,7 мм также обладают лучшими в своем классе характеристиками линейного режима/безопасной рабочей области (SOA) для безопасного и надежного переключения в условиях высоких токов. В рабочих условиях 1 мс и 20 В/с ток утечки (SOA) составляет 35 А благодаря сочетанию кремния и корпуса, тогда как при 10 мс и 20 В/с, когда корпус играет доминирующую роль, SOA составляет 17 А. Эти показатели в 1,5–2 раза лучше, чем у конкурентов. Устройства также демонстрируют наилучший показатель лавинного пробоя при одиночном импульсе (EAS) — 2,3 Дж, и очень высокий номинальный ток утечки — 500 А, что, в отличие от некоторых конкурирующих устройств, является измеренным, а не теоретическим пределом.
Преимущества в размере и производительности, предлагаемые MOSFET-транзисторами LFPAK88 размером 8 x 8 мм от Nexperia, позволяют разработчикам заменить два старых компонента, работающих параллельно, одним LFPAK88, что упрощает производство и повышает надежность. Компоненты BUK7S0R5-40H, соответствующие стандарту AEC-Q101 и обеспечивающие более чем в два раза большую надежность по сравнению с автомобильным стандартом, подходят для тормозных систем, гидроусилителей руля, защиты от обратной полярности батареи, электронных предохранителей, преобразователей постоянного тока и систем управления двигателями. Промышленные MOSFET-транзисторы PSMNR55-40SSH подходят для изоляции батарей, ограничения тока, электронных предохранителей, управления двигателями, синхронного выпрямления и коммутации нагрузки в электроинструментах, бытовой технике, вентиляторах, а также электровелосипедах, скутерах и инвалидных колясках.
- Подробности
- Категория: Интегральные схемы
МОП-транзисторы Nexperia 40 В с низким сопротивлением RDS(on) и высочайшей удельной мощностью для промышленного и автомобильного применения
Компания Nexperia сегодня анонсировала новые силовые MOSFET-транзисторы с сопротивлением RDS(в открытом состоянии) и напряжением 40 В в высоконадежном корпусе LFPAK88 для автомобильной (BUK7S0R5-40H) и промышленной (PSMNR55-40SSH) отраслей. Эти устройства обладают самым низким сопротивлением RDS(в открытом состоянии) , когда-либо производимым компанией Nexperia, и, что более важно, обеспечивают плотность мощности более чем в 50 раз выше, чем у традиционных устройств D2PAK.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.
