Области применения включают EPS, DC-DC преобразователи и нагрузочные переключатели.
Каждое устройство оснащено микросхемой, изготовленной по технологии U-MOSVIII-H, в корпусе TO-220SM(W), сопротивление которого снижено до предела за счет нового внутреннего медного разъема. Это обеспечивает лучшие в отрасли значения сопротивления в открытом состоянии, измеренные при VGS ₍ on
_{= 10 В. RDS(on) = 0,78 мОм (типичное значение) для TK200F04N1L и RDS} ( типичное значение) для TK160F10N1.
) = _{2,0 мОм}
Оба устройства обладают низким тепловым сопротивлением Rth ₍ ch-c) = 0,4 °C/Вт (макс.) и максимальным отношением температур канала 175 °C.
Эти новые MOSFET-транзисторы обеспечивают высочайшую эффективность и минимальное тепловыделение. Кроме того, технология U-MOSVIII-H обладает улучшенными возможностями подавления пульсаций переключения по сравнению с предыдущим поколением. Это может способствовать снижению электромагнитных помех в приложениях.
Модели TK160F10N1 и TK200F04N1L будут соответствовать требованиям автомобильной квалификации AEC-Q101.

Более подробная информация или запрос цены