В последние несколько лет растущая тенденция к энергосбережению во всех секторах привела к увеличению спроса на энергоэффективные силовые полупроводники, особенно для промышленного применения, такого как инверторы общего назначения и производственное оборудование. Большинство вспомогательных источников питания, обеспечивающих управляющее напряжение для цепей питания, микросхем управления и различных дополнительных систем, используют кремниевые MOSFET-транзисторы с высоким напряжением пробоя (более 1000 В). Однако эти высоковольтные MOSFET-транзисторы испытывают значительные потери проводимости (часто приводящие к чрезмерному выделению тепла) и создают проблемы, связанные с требованиями к площади поверхности и количеству внешних компонентов, что препятствует уменьшению размеров системы. В ответ на это компания ROHM разработала низкопотерные SiC MOSFET-транзисторы и микросхемы управления, которые обеспечивают максимальную производительность и способствуют миниатюризации конечного продукта.
Микросхема SCT2H12NZ обеспечивает высокое напряжение пробоя, необходимое для вспомогательных источников питания в промышленном оборудовании. Потери проводимости снижены в 8 раз по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET-транзисторами, что повышает энергоэффективность. Кроме того, в сочетании со специально разработанной компанией ROHM микросхемой управления преобразователем переменного/постоянного тока для управления SiC MOSFET-транзисторами (BD7682FJ-LB) производительность может быть максимально увеличена, а КПД повышен до 6%. Это позволяет использовать более компактные периферийные компоненты, что еще больше способствует миниатюризации.
Основные характеристики
: 1. Оптимизирован для вспомогательных источников питания в промышленном оборудовании.
По сравнению с кремниевыми MOSFET-транзисторами на 1500 В, используемыми во вспомогательных источниках питания промышленного оборудования, SCT2H12NZ обеспечивает более высокое напряжение пробоя (1700 В) с в 8 раз меньшим сопротивлением в открытом состоянии (1,15 Ом). Кроме того, его компактный корпус TO-3PFM обеспечивает требуемое расстояние утечки (расстояние, измеренное вдоль поверхности изоляционного материала) для промышленного оборудования. ROHM также предлагает версию для поверхностного монтажа (TO268-2L), которая обеспечивает необходимое расстояние утечки.
2. Повышенная эффективность при использовании в сочетании со специализированной микросхемой ROHM.
Использование этого нового SiC MOSFET в сочетании с микросхемой управления преобразователем переменного/постоянного тока ROHM (BD7682FJ-LB), специально разработанной для приводов на основе SiC MOSFET, позволит максимально повысить производительность и эффективность до 6%. Также снизится тепловыделение, что минимизирует необходимость в мерах по снижению тепловых потерь и позволит использовать компоненты меньшего размера.
3. Простая оценка с помощью оценочной платы ROHM для SiC-устройств.
Будучи крупным производителем полупроводниковых компонентов, ROHM предлагает широкий ассортимент микросхем, оптимизированных для различных SiC-устройств. ROHM также выпускает оценочные платы и комплекты, позволяющие немедленно проводить оценку и разработку. В дополнение к BD7682FJ-LB-EVK-402, доступна плата управления затвором для оценки полного SiC-модуля ROHM, а также модуль демпфирования. Дополнительная информация доступна на специальной странице поддержки ROHM.
Области применения:
Вспомогательные источники питания для высоковольтного (400 В переменного тока) промышленного оборудования, такого как оборудование для промышленной автоматизации (роботы), солнечные и промышленные инверторы, а также производственные/испытательные устройства.
