Микросхема BD7682FJ-LB упрощает внедрение SiC MOSFET-транзисторов в преобразователи переменного/постоянного тока. Разработка преобразователей переменного/постоянного тока с использованием дискретных конфигураций всегда представляла собой сложную задачу из-за большого количества необходимых компонентов. В отличие от этого, новейший продукт ROHM предлагает высокоинтегрированное решение и устанавливает новые стандарты энергосбережения и миниатюризации, одновременно поддерживая внедрение силовых полупроводников на основе SiC, обеспечивающих высокий уровень эффективности и производительности.
По сравнению с кремниевыми MOSFET-транзисторами, используемыми в обычных преобразователях переменного/постоянного тока, SiC MOSFET-транзисторы позволяют создавать преобразователи переменного/постоянного тока с энергоэффективностью до 6% выше. Кроме того, они исключают необходимость в компонентах для отвода тепла (например, в системах питания мощностью 50 Вт), что приводит к созданию более компактных систем. Спецификация BD7682FJ-LB также включает в себя множество функций защиты, обеспечивающих поддержку высокого напряжения до 690 В переменного тока, что делает их идеальными для общего промышленного оборудования и повышает надежность.
В последние годы наблюдается растущая тенденция к энергосбережению во всех секторах. Это включает в себя и применение высоковольтного промышленного оборудования. Достижение этой цели требует внедрения передовых силовых полупроводников и интегральных схем питания. Среди них силовые полупроводники на основе карбида кремния (SiC) предположительно вытеснят кремниевые решения благодаря более высоким напряжениям, большей экономии энергии и более компактным размерам.
Однако до настоящего времени не существовало управляющей интегральной схемы, способной обеспечить достаточную производительность от SiC MOSFET-транзисторов, особенно в системах преобразователей переменного/постоянного тока. В результате разработчики сталкиваются с многочисленными проблемами, связанными с энергопотреблением и стабильностью в различных мощных приложениях.
Для удовлетворения этих потребностей компания ROHM использует проверенные аналоговые технологии в сочетании с опытом работы в области силовых полупроводников на основе SiC для разработки первого в отрасли контроллера преобразователя переменного/постоянного тока, специально предназначенного для управления SiC MOSFET-транзисторами. В дальнейшем ROHM продолжит внедрять передовые решения, в том числе разрабатывать новые интегрированные схемы управления преобразователями переменного/постоянного тока с интегрированными SiC MOSFET-транзисторами.
Основные характеристики
1. Максимальная производительность SiC MOSFET с инновационным энергосбережением
BD7682FJ-LB объединяет оптимизированную схему управления затвором для SiC MOSFET, сочетая аналоговые технологии проектирования с опытом разработки силовых полупроводников на основе SiC. Кроме того, квазирезонансная система обеспечивает более низкий уровень шума и более высокую эффективность по сравнению с традиционными ШИМ-методами, что позволяет максимально повысить производительность SiC MOSFET, используемых в преобразователях переменного/постоянного тока, и, как следствие, значительно сэкономить энергию.
2. SiC MOSFET-транзисторы способствуют беспрецедентной миниатюризации.
В отличие от обычных кремниевых MOSFET-транзисторов, использование SiC MOSFET-транзисторов в преобразователях переменного/постоянного тока устраняет необходимость в компонентах для отвода тепла, что способствует созданию более компактных и легких конструкций преобразователей. Также обеспечивается поддержка более высоких частот переключения (например, 120 кГц), что расширяет область применения и повышает эффективность.
3. Многочисленные схемы защиты поддерживают работу при высоком напряжении до 690 В переменного тока.
Несколько схем защиты позволяют использовать преобразователи переменного/постоянного тока при высоком напряжении до 690 В переменного тока — идеально подходит для общего промышленного применения при напряжении 400 В переменного тока. В дополнение к защите от перенапряжения на выводе напряжения питания и защите от пониженного напряжения на входном выводе напряжения, также предусмотрены функции защиты от перегрузки по току и вторичного перенапряжения, что позволяет обеспечить непрерывную работу промышленного оборудования при значительном повышении надежности.
Преимущества SiC MOSFET:
SiC MOSFET обладают рядом преимуществ перед кремниевыми MOSFET в высоковольтном диапазоне, включая низкие потери при переключении и проводимости, совместимость с высокой мощностью и большую устойчивость к изменениям температуры. Использование этих преимуществ позволяет повысить эффективность преобразования энергии, миниатюризировать компоненты для рассеивания тепла, увеличить рабочую частоту для поддержки индукторов меньшего размера и многое другое, что приводит к увеличению энергосбережения, уменьшению количества компонентов и уменьшению монтажной площади.
