Семейство IGBT-транзисторов IRGP47xx, рассчитанное на ток от 15 до 90 А, использует технологию траншейной резьбы для снижения потерь проводимости и переключения, что приводит к повышению эффективности системы. Эти новые IGBT-транзисторы, поставляемые в виде дискретных герметизированных устройств с диодом мягкого восстановления с низким коэффициентом добротности Qrr, оптимизированы для сверхбыстрого переключения (8–30 кГц), обеспечивают время отклика на короткое замыкание 6 мкс и положительный температурный коэффициент VCE(ON) для простого параллельного соединения. Более высокое напряжение пробоя обеспечивает дополнительную надежность в экстремальных погодных условиях и при нестабильности сети переменного тока, устраняя необходимость в устройствах подавления напряжения.
Семейство IRGP47xx разработано для широкого диапазона частот переключения и имеет низкий коэффициент VCE(ON) 1,7 В (типичный) при 100 °C и низкую суммарную энергию переключения (TSE) для снижения рассеиваемой мощности. Они предлагаются в корпусе, а другие ключевые особенности включают максимальную температуру перехода 175 °C и низкий уровень электромагнитных помех для повышения надежности.
- Подробности
- Категория: Интегральные схемы
IGBT-транзисторы с напряжением 650 В для применения в сварочном оборудовании, солнечных батареях, промышленных двигателях, индукционном нагреве и источниках бесперебойного питания
Компания International Rectifier расширила свой портфель IGBT-транзисторов (биполярных транзисторов с изолированным затвором), добавив семейство надежных и долговечных устройств на 650 В, оптимизированных для быстродействующих приложений, включая солнечные инверторы, сварочное оборудование, промышленные двигатели, индукционный нагрев и системы бесперебойного питания.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.
