Компания Toshiba Electronics Europe готовится объявить о разработке следующего поколения своей технологии сверхпроводящих полупроводников с глубокими траншеями (SJ) для высокоэффективных силовых MOSFET-транзисторов.Устройства, созданные на основе нового техпроцесса DTMOS V, работают с более низким уровнем электромагнитных помех и уменьшенным сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) по сравнению с более ранними MOSFET-транзисторами на основе DTMOS IV.
Подобно предыдущей полупроводниковой технологии DTMOS IV, технология DTMOS V основана на уникальном эпитаксиальном процессе, включающем глубокое травление траншей с последующим эпитаксиальным ростом P-типа. Глубокое травление траншей приводит к уменьшению шага ячеек и снижению сопротивления RDS(ON) по сравнению с более традиционными планарными процессами. Глубокое травление траншей, разработанное компанией Toshiba, позволяет улучшить тепловые коэффициенты RDS(ON) для MOSFET-транзисторов по сравнению с обычными суперпереходными MOSFET-транзисторами, использующими многоступенчатый эпитаксиальный рост.
Благодаря технологии DTMOS V, компании Toshiba удалось снизить сопротивление RDS(ON) транзистора TK290P60Y DPAK до 17% по сравнению с более низким сопротивлением RDS(ON), достигаемым у MOSFET-транзистора TK12P60W DTMOS IV. Компания также дополнительно оптимизировала компромисс между характеристиками переключения и электромагнитными помехами.
DTMOS V MOSFET-транзисторы упростят проектирование и повысят производительность в приложениях преобразования энергии, включая импульсные источники питания, схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), светодиодное освещение и другие приложения переменного/постоянного тока. Первые MOSFET-транзисторы, созданные на основе процесса пятого поколения, будут обеспечивать напряжение 600 В и 650 В и поставляться в корпусах DPAK (TO-252) и TO-220SIS (с интеллектуальной изоляцией). Максимальное номинальное сопротивление в открытом состоянии будет варьироваться от 0,29 Ом до 0,56 Ом.
