Все устройства не только обладают оптимизированными функциями управления питанием, но и отличаются инновационным и компактным дизайном, отвечающим потребностям широкого спектра применений, например, крупных источников питания, инверторов, промышленного оборудования, серверов и других.
Рекомендуемые
Полноценные силовые модули SiC на 1200 В/300 А.
Новый BSM300D12P2E001 особенно подходит для мощных приложений, таких как источники питания большой мощности для промышленного оборудования, благодаря номинальному току 300 А. Кроме того, он отличается на 77% меньшими потерями при переключении по сравнению с обычными модулями IGBT, что позволяет работать на высоких частотах и использовать более компактные системы охлаждения и периферийные компоненты. Компания ROHM использует новую конструкцию корпуса, которая минимизирует влияние скачков напряжения во время переключения. Оригинальная структура подавления электрического поля в сочетании с новым методом экранирования обеспечивает высокую надежность, что делает его идеальной заменой модулям IGBT с более высокими номинальными токами. Новое устройство дополняет существующий ассортимент полноценных силовых модулей SiC на 1200 В/120 А (включая MOSFET и SBD) и 1200 В/180 А (только MOSFET) соответственно, которые уже получили широкое распространение в промышленном и энергетическом секторах.
IGBT-IPM (интеллектуальные силовые модули) —
новое семейство IPM (интеллектуальных силовых модулей) для эффективного управления двигателями и инверторами, включающее модули на основе IGBT, оптимизированные для работы на низких или высоких скоростях, а также IPM на основе MOSFET с использованием запатентованной компанией ROHM технологии Low Ron SuperJunction MOSFET (PrestoMOS™), — все в компактном корпусе HSDIP25. Это предоставляет разработчикам бытовой техники и промышленных двигателей высоконадежное решение и множество экономически эффективных вариантов проектирования. Новые устройства значительно снижают потери мощности как при малых, так и при больших нагрузках, одновременно увеличивая мощность. Полная линейка включает IGBT-IPM на 10 А, 15 А и 20 А 600 В; версии на 30 А находятся в разработке.
Микросхемы управления преобразователями переменного/постоянного тока для SiC MOSFET:
BD7682FJ-LB обеспечивает простую реализацию SiC MOSFET в преобразователях переменного/постоянного тока, преодолевая проблему дискретных конфигураций. Она предлагает высокоинтегрированное решение и устанавливает новые стандарты энергосбережения и миниатюризации, поддерживая при этом использование силовых полупроводников на основе SiC. По сравнению с кремниевыми MOSFET, используемыми в обычных преобразователях переменного/постоянного тока, SiC MOSFET позволяют создавать преобразователи переменного/постоянного тока с улучшенной до 6% энергоэффективностью. Кроме того, не требуются компоненты для отвода тепла (например, блоки питания мощностью 50 Вт), что приводит к большей компактности. Спецификация BD7682FJ-LB также включает в себя множество функций защиты, обеспечивающих поддержку высокого напряжения до 690 В переменного тока, что делает их идеальными для общего промышленного оборудования и повышает надежность.
