Устройства IRF6708S2 в малом корпусе и IRF6728M в среднем корпусе позволяют сократить количество компонентов на 30%, что значительно снижает общую стоимость системы. Эти новые MOSFET-транзисторы DirectFET характеризуются низкими значениями сопротивления нагрузки и сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) (1,8 мВт при 10 В и 2,8 мВт при 4,5 В для IRF6728M, и 7,5 мВт при 10 В и 12,0 мВт при 4,5 В для IRF6708S2) для минимизации потерь проводимости и переключения. В IRF6728M также используется монолитно интегрированный диод Шоттки, что снижает потери, связанные со структурной проводимостью диода и обратным восстановлением. Предлагая высокоэффективное и экономичное решение для чувствительных к стоимости приложений импульсного DC/DC-преобразования, а также гарантируя превосходные тепловые характеристики DirectFET, схемотехническое решение IRF6708S2 и IRF6728M обеспечивает отличное соотношение цены и качества.
Соответствующие требованиям RoHS транзисторы IRF6708S2 и IRF6728M используют новейшее поколение кремниевых МОП-транзисторов с ИК-подсветкой для 30-вольтовых систем. Помимо низких значений RDS(on) и нагрузки, новые устройства используют преимущества низкой паразитной индуктивности и превосходных возможностей охлаждения корпуса DirectFET.
