Технология 3D XPoint, уже находящаяся в производстве, представляет собой значительный шаг вперед в технологии обработки памяти и знаменует собой появление новой категории устройств с момента появления флэш-памяти NAND в 1989 году.
Энергонезависимый характер этой технологии также делает ее отличным выбором для различных приложений хранения данных с низкой задержкой, поскольку данные не стираются при выключении устройства.
Инновационная кроссоверная архитектура с меньшим количеством транзисторов создает трехмерную шахматную структуру, где ячейки памяти расположены на пересечении строк слов и битов, что позволяет обрабатывать ячейки индивидуально. В результате данные могут записываться и считываться небольшими партиями, что обеспечивает более быстрый и эффективный процесс чтения и записи.
Другие подробности о технологии 3D XPoint включают:
• Структура перекрестного массива – Перпендикулярные проводники соединяют 128 миллионов плотно упакованных ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит один бит данных. Эта компактная структура обеспечивает высокую производительность и высокую плотность битов.
• Возможность штабелирования – В дополнение к плотной структуре перекрестного массива, ячейки памяти уложены в несколько слоев. Первоначальная технология хранила 128 ГБ на кристалле в двух слоях памяти. Последующие поколения этой технологии могут увеличить количество слоев памяти, а также традиционное масштабирование шага литографической схемы, что еще больше повышает емкость системы.
• Селектор – Доступ к ячейкам памяти и запись или чтение данных осуществляется путем изменения величины напряжения, подаваемого на каждый селектор. Это исключает необходимость в транзисторах, увеличивая емкость и снижая стоимость.
• Быстро переключающаяся ячейка – Благодаря небольшому размеру ячейки, быстро переключающемуся селектору, перекрестному массиву с низкой задержкой и
быстрому алгоритму записи, эта ячейка способна менять состояния быстрее, чем любая другая доступная сегодня технология энергонезависимой памяти.
Подробнее
