Первоначально установка 3-битных NAND SSD-накопителей будет осуществляться в крупном центре обработки данных и, как ожидается, начнётся в конце текущего квартала.
Новые твердотельные накопители PM853T доступны в вариантах емкости 240 ГБ, 480 ГБ и 960 ГБ, обеспечивая высокую производительность по количеству операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и качество обслуживания (QoS), что крайне важно для центров обработки данных и облачных сервисов. Благодаря этим преимуществам Samsung ожидает ускорения внедрения 3-битных твердотельных накопителей в центрах обработки данных, которые заменят 2-битные.
SSD-накопитель PM853T обеспечивает на 30 процентов большую эффективность по сравнению с SSD-накопителями, использующими 2-битные компоненты NAND-флэш-памяти. 10-нм 3-битные компоненты MLC (Multi-level Cell) NAND-флэш-памяти от Samsung* и передовая технология контроллера обеспечивают скорость последовательного чтения 520 мегабайт в секунду (МБ/с) и скорость последовательной записи 420 МБ/с. Кроме того, скорость случайного чтения достигает 90 000 IOPS, а скорость случайной записи — 14 000 IOPS.
С момента выпуска SSD-накопителя 840 EVO в 2012 году Samsung лидирует в разработке SSD-накопителей для ультратонких ноутбуков и ПК. С PM853T компания укрепляет свои позиции на рынке высокоэффективных SSD-накопителей для крупных центров обработки данных.
Выпуск трех 3-битных твердотельных накопителей SATA 6 Гбит/с укрепляет сотрудничество Samsung с глобальными центрами обработки данных и клиентскими серверами, одновременно расширяя свой широкий портфель твердотельных накопителей (включающий интерфейсы SATA, SAS и PCIe/NVME), чтобы еще больше укрепить свои позиции на рынке премиальных твердотельных накопителей.
Недавнее исследование рынка, проведенное IHS iSuppli, показывает, что мировой рынок твердотельных накопителей, как ожидается, вырастет примерно на 30 процентов, с 9,4 млрд долларов в 2013 году до 12,4 млрд долларов в 2014 году. В отчете также прогнозируется дальнейший сильный рост в ближайшие годы, достигнув 20 млрд долларов к 2017 году.
