Данное семейство устройств работает с током от 4 А до 20 А в одноканальной конфигурации и с током от 16 А до 40 А в двухканальной конфигурации.
Технология SiC:
Широкополосные диоды Шоттки на основе SiC разработаны для высокопроизводительных преобразователей переменного/постоянного тока и постоянного/постоянного тока, таких как коррекция коэффициента мощности и выпрямление выходного сигнала в сверхвысокочастотных приложениях постоянного/постоянного тока. Диод SiC представляет собой шаг вперед в повышении эффективности преобразователей, улучшая плотность мощности и надежность. Снижаются потери при переключении активного ключа, что минимизирует нагрузку при включении. Увеличение частоты переключения и плотности мощности может быть достигнуто без проблем с охлаждением.
Преимущества технологии Vishay SiC
: • Практически нулевые потери обратного восстановления, не зависящие от температуры и условий эксплуатации.
• Чисто емкостное переключение, без потерь внутри диода.
• Хороший пиковый ток.
• Высокое отношение прямого тока к емкости.
• Низкий ток утечки при высоких температурах.
• Низкие наведенные потери в активном ключе.
• Улучшенная электромагнитная совместимость.
Семейство диодов Vishay SiC:
Ассортимент диодов Vishay SiC охватывает наиболее распространенные номинальные токи, от малых до больших. Все устройства имеют напряжение пробоя 650 В и максимальную температуру перехода 175 °C. Доступные корпуса: 2L TO-220AC с одним диодом или 3L TO-247AD с двумя диодами с общим катодом.
