Эти недорогие устройства с интерфейсом SPI 512 Кбит/с и 1 Мбит/с сохраняют низкое энергопотребление и компактные 8-контактные корпуса, характерные для продукции компании. Скорость передачи данных до 80 Мбит/с была достигнута с использованием протоколов quad-SPI или SQI™, обеспечивая нулевое время цикла записи и практически мгновенную передачу данных, что крайне важно для обработки больших объемов данных, таких как загрузка графики, буферизация данных, регистрация данных, отображение на экранах, математические вычисления, а также аудио и видео.
Два других представителя этого семейства, 23LCV512 и 23LCV1024, предлагают наиболее экономичные варианты энергонезависимой оперативной памяти на рынке, обеспечивая неограниченный срок службы батареи и значительно меньшие затраты, чем любой другой тип энергонезависимой оперативной памяти. Благодаря быстрым портам SPI (SDI) со скоростью 40 Мбит/с и низким токам в активном и спящем режимах, эти последовательные устройства NVSRAM обеспечивают высокую скорость без большого количества выводов, характерного для параллельных NVSRAM, и с энергопотреблением, сопоставимым с FRAM, при гораздо меньшей цене. Это выгодно для таких приложений, как счетчики, черные ящики и другие регистраторы данных, требующие неограниченной или мгновенной записи и энергонезависимого хранения.
Новые микросхемы SRAM объемом 1 Мбит позволяют разработчикам встраиваемых систем предоставлять больший объем оперативной памяти по гораздо более низкой цене, чем при использовании более крупного микроконтроллера или процессора, а также с меньшим энергопотреблением, меньшим количеством выводов и меньшей стоимостью, чем параллельная SRAM. Интеграция SPI позволяет этим микросхемам SRAM адаптироваться к тенденции перехода к последовательным интерфейсам. Рынок EEPROM полностью перешел на последовательные интерфейсы, в то время как рынок Flash быстро совершает этот переход из-за более высокой стоимости, больших габаритов на плате и большего энергопотребления параллельных устройств.
Шесть устройств нового семейства последовательной SRAM доступны в 8-контактных корпусах SOIC, TSSOP и PDIP с емкостью 512 Кбит и 1 Мбит. Четыре энергонезависимых устройства, 23A512, 23LC512, 23A1024 и 23LC1024, уже доступны для пробного и серийного производства, в то время как два энергонезависимых устройства, 23LCV512 и 23LCV1024, как ожидается, станут доступны для пробного и серийного производства в октябре.
