продление срока службы бытовой электроники, мультимедийных устройств, интеллектуальных счетчиков, интеллектуальных систем освещения и промышленной техники.
Технология BENAND снимает нагрузку с основного процессора, связанную с коррекцией ошибок (ECC), и позволяет разработчикам использовать передовые технологии производства флэш-памяти NAND. Для обеспечения простоты перехода новая технология BENAND разработана таким образом, что такие характеристики, как размер страницы/блока, размер резервной области, команды, интерфейс и тип упаковки, остаются такими же, как и у предыдущей 4-нм SLC NAND.
Цена NAND-флэш-памяти, созданной на основе передовых технологических процессов, снижается, но ячейки меньшего размера становятся более уязвимыми к напряжениям программирования/стирания. Это требует более сложной системы коррекции ошибок (ECC) для поддержания желаемого уровня надежности — например, для низкоплотной 4xnm SLC NAND требуется 1 бит ECC, для 3xnm SLC NAND — 4 бита ECC, а для 2xnm SLC NAND — 8 бит ECC.
Традиционно коррекция ошибок (ECC) интегрировалась в контроллеры хоста, что часто требовало трудоемкой модернизации до более новой и эффективной микросхемы NAND, поскольку для обеспечения необходимого уровня коррекции ошибок требовалась замена центрального процессора. Однако BENAND переписывает эту парадигму, перенося ECC в микросхему NAND и позволяя использовать устаревшие контроллеры с новейшей технологией NAND, что снижает стоимость комплектующих и проектирование системы, сохраняя при этом высокую надежность SLC NAND.
Введение 8-гигабитной архитектуры расширяет линейку BENAND с 1 ГБ до 8 ГБ, доступных в корпусах TSOP и BGA, а также в диапазонах рабочих температур для промышленного и бытового применения.
