По мере того, как портативные устройства становятся все более компактными, размер компонента становится критически важным параметром: Si8800EDB на 36% меньше и на 11% тоньше, чем другие существующие на рынке N-канальные устройства в корпусе типа «чип».
Корпус Si8800EDB в корпусе типа «чип» обеспечивает чрезвычайно низкое поверхностное сопротивление. Он обеспечивает максимальное сопротивление в открытом состоянии 80 мВт при 4,5 В, 90 мВт при 2,5 В, 105 мВт при 1,8 В и 150 мВт при 1,5 В. Si8800EDB
имеет типичный уровень защиты от электростатического разряда 1500 В, соответствует требованиям RoHS (2002/95/EC) и не содержит галогенов согласно IEC 61249-2-21.
Типичные области применения этого MOSFET включают мобильные телефоны, КПК, цифровые камеры, MP3-плееры и другие устройства.
- Подробности
- Категория: Конфиденциально
Компания Vishay Siliconix выпустила самый маленький в отрасли силовой N-канальный MOSFET-транзистор
Компания Vishay Intertechnology, Inc. анонсировала силовой N-канальный MOSFET-транзистор Si8800EDB 20-V MICRO FOOT® с площадью поверхности 0,8 мм x 0,8 мм и толщиной 0,357 мм, предназначенный для применения в портативных электронных устройствах.
Печатный журнал
Стоимость годовой подписки:
Вы получите все 10 выпусков, которые публикуются каждый год.
социальные сети
Популярные новости Электроника
Испанский журнал об электронике. Издается более 25 лет.
Испания - Мадрид - Все права защищены © Convertronic Professional, испанский журнал об электронике.