В семействе новых устройств, использующих хорошо зарекомендовавшую себя планарную технологию IR, представлены стандартные N-канальные MOSFET-транзисторы с управлением затвором на 55 В и 150 В, а также стандартные P-канальные MOSFET-транзисторы с управлением затвором на -55 В и -100 В, подходящие для высоковольтных коммутационных приложений, не требующих зарядного насоса для управления затвором. N-канальные MOSFET-транзисторы с управлением затвором на 30 В, 55 В и 100 В упрощают требования к управлению затвором и помогают уменьшить занимаемое на плате пространство и количество компонентов. Все новые устройства оптимизированы для низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)).

Эти устройства, одобренные в соответствии со стандартами AEC-Q101, отличаются использованием ряда экологически чистых, не содержащих свинца и соответствующих требованиям RoHS материалов и являются частью инициативы IR «Нулевой дефект», ориентированной на автомобильный сектор.

Все автомобильные MOSFET-транзисторы IR проходят динамическое и статическое тестирование с усреднением параметров устройства, а также 100% автоматизированный визуальный контроль пластин в рамках инициативы IR по обеспечению качества в автомобильной промышленности, целью которой является нулевой уровень дефектов. Для получения сертификата AEC-Q101 требуется, чтобы отклонение RDS(on) после 1000 температурных циклов в ходе тестирования не превышало 20%. Однако в ходе расширенного тестирования новая спецификация материалов IR AU показала максимальное отклонение RDS(on) всего в 12% за 5000 температурных циклов, что демонстрирует устойчивость и надежность спецификации.

Более подробная информация или запрос цены