Микросхемы CoolGan HEMT подходят как для аппаратных, так и для программных коммутационных схем и идеально подходят для таких применений, как беспроводная зарядка, импульсные источники питания (SMPS), телекоммуникации, гипермасштабные центры обработки данных и серверы.
Транзисторы Infineon HEMT CoolGaN обладают исключительным качеством по сравнению с кремниевыми переключающими устройствами. Транзисторы HEMT CoolGaN имеют в 10 раз меньший выходной ток и заряд затвора по сравнению с кремниевыми транзисторами, а также более высокое поле пробоя и вдвое большую подвижность. Оптимизированные для переключения в режиме «включено/выключено», эти устройства отличаются новыми топологиями и модуляцией тока, что обеспечивает инновационные решения для переключения. Корпус HEMT для поверхностного монтажа гарантирует полную доступность возможностей переключения, а компактная конструкция позволяет использовать их в различных приложениях с ограниченным пространством.
Транзисторы CoolGaN на основе нитрида галлия от Infineon совместимы с оценочными платформами EVAL_1EDF_G1_HB_GAN и EVAL_2500W_PFC_G. Плата EVAL_1EDF_G1_HB_GAN включает в себя 600-вольтовый транзистор CoolGaN HEMT и микросхему драйвера затвора Infineon GaN EiceDRIVER™, что позволяет инженерам оценивать возможности высокочастотных GaN-транзисторов в универсальной полумостовой топологии для преобразователей и инверторов. Плата EVAL_2500W_PFC_G включает в себя 600-вольтовый транзистор CoolGaN e-mode HEMT, переопределяющий MOSFET CoolMOS™ C7 Gold и микросхемы драйвера затвора EiceDRIVER, обеспечивая инструмент оценки коррекции коэффициента мощности (PFC) для полномостовых схем мощностью 2,5 кВт, повышающий КПД системы до 99% в критически важных приложениях с высоким энергопотреблением, таких как импульсные источники питания и телекоммуникационные выпрямители.
