基于其独立的电路平台、IC平台和工艺平台，由Mecter代理的MORNSUN推出了专为IGBT/SiC MOSFET驱动器设计的第三代QA-R3/QA_C-R3系列DC/DC转换器。QA_H-R3/QA_HC-R3系列具有适用于1700V系统电源应用的爬电距离，是驱动解决方案中理想且可靠的DC/DC转换器。.
优势：
绝缘电压：5000VAC，加强绝缘。
基于 MORNSUN 自主的 IC 设计，R3 系列绝缘电压达到 5000VAC，高于市场上的常规产品（3750VAC），满足加强绝缘的要求，整体可靠性大大提高。
作为核心半导体器件，大多数商用IGBT/SiC MOSFET用于中低压应用，其工作电压为650V/900V/1200V/1700V。
根据IEC 61800-5-1标准，R3系列器件具有高达1700V的连续势垒电压（连续放电），可用于工作电压低于1700V的IGBT/SiC MOSFET器件。QA_H-R3/QA_HC-R3的漏极距离大于14.14 mm。
与 R1 系列相比，R3 系列具有以下优化性能：
1. 效率提升：80% → 87%；
2. 纹波降低：75mVpp → 50mVpp；
3. 容性负载增大：220uF → 2200uF；
4. 静电放电防护性能提升：±6kV → ±8kV；
5. 绝缘电容降低：6.6pF → 3.5pF。
应用：
QA-R3/QA_C-R3系列可广泛应用于光伏逆变器、电机控制器和电动汽车充电等领域的IGBT/SiC MOSFET驱动解决方案。
以PV-SVG系统为例，它为驱动芯片提供电源，使IGBT/SiC MOSFET能够高效运行。
特性
• 绝缘电压：5000VAC（加强绝缘）。
• 连续屏障电压：1700V。
• 效率高达 87%。
• 紧凑型 SIP 封装。
• 最大容性负载：2200µF。
• 超低绝缘电容：3.5pF（典型值）。
• 工作温度范围：-40℃ 至 +105℃。
