该新型器件的最大VDSS值为150V，最大电流(ID)为64A，其有效漏源电阻(RDS(ON))仅为9.0mΩ（最大值）。与上一代TPH1500CNH1产品相比，电阻降低了40%以上。.
在采用同步整流的高性能电源解决方案中，反向恢复性能至关重要。新型 TPH9R00CQ5 通过集成高速体二极管，与现有器件（例如 TPH9R00CQH）相比，将反向恢复电荷 (Qrr) 降低了约 74%（典型值降至 34nC）。此外，其反向恢复时间 (trr) 仅为 40ns，与之前的器件相比，性能提升超过 40%。.
凭借仅 44 nC 的低栅极电荷 (Qg)，这些改进显著降低了损耗，提高了高性能、高能效解决方案的功率密度。175°C（最高）的沟道温度对于高速二极管 MOSFET 而言非常出色，可为设计人员提供更大的散热余量。.
该新型器件还能降低开关过程中产生的电压尖峰，从而改善设计的电磁干扰特性，并减少对滤波器的需求。它采用尺寸仅为 4.9 mm x 6.1 mm x 1.0 mm 的多功能表面贴装 SOP Advance(N) 封装。.
为了帮助设计人员，东芝开发了 SPICE G0 模型来快速验证电路运行情况，以及高精度的 SPICE G2 模型来精确再现瞬态特性。.
此外，设计人员还可以访问东芝网站上提供的先进参考设计。这些设计包括 1 kW 非隔离式升降压 DC-DC 转换器、基于 MOSFET 的三相多电平逆变器和 1 kW 全桥 DC-DC 转换器，所有这些转换器都采用了新型 TPH9R00CQ5。.
今天开始接受新设备的订单，东芝将继续扩大其功率 MOSFET 产品线，以减少能量损耗并提高开关电源的效率，从而帮助提高设备效率。.
