Beneq Transmute™ 采用 Beneq 专利的三步 ALD 架构，将 Beneq Transform® XP 平台的性能扩展至生产环境。该平台结合了等离子体预处理、等离子体增强 ALD (PEALD) 和批量热 ALD 技术，能够以原子级界面控制实现高性能、共形介电堆叠，并具备高产能。
其 25 片晶圆容量的均匀流腔以及先进的前驱体计量技术，可实现快速的循环时间、优化的晶圆覆盖率和更少的前驱体浪费，从而在各种半导体应用中降低总体拥有成本。
“Beneq Transmute™ 代表着 ALD 技术向大批量生产解决方案转型过程中迈出的重要一步，”Beneq 产品经理 Lucas Monteiro 表示。“通过将 ALD 的精度与满足生产需求的吞吐量和可扩展性相结合，我们能够帮助客户以高吞吐量和低总体拥有成本生产下一代射频和宽带器件，同时保持 Beneq 一贯的卓越薄膜质量。”.
专为满足特定生产需求而设计，
采用模块化集群架构，支持热原子层沉积 (ALD) 和等离子体增强原子层沉积 (PEALD)，并可进行定制配置。该系统最多可配备两个传输腔和 11 个工艺模块插槽，包括 PEALD、热原子层沉积、缓冲和预热模块，每个系统都可根据客户的具体应用和工厂发展规划进行定制，同时确保长期可扩展性。
