全新的 G4H08MT23GB4 系列采用全桥结构，支持 2300 V 电压，导通电阻 RDS(on) 为 8 mΩ。该系列模块采用行业标准的 SiCPAK 封装，并集成了 Navitas 的第四代 GeneSiC 沟槽辅助平面 (TAP) 架构。据制造商称，这种组合可提高能量转换系统的效率和功率密度。此次发布进一步扩展了 Navitas 的超高压 SiC 器件产品组合，该产品组合目前已涵盖 2300 V 和 3300 V 解决方案。.
第四代 GeneSiC TAP 技术：
该系列新产品基于 Navitas 的第四代沟槽辅助平面 (TAP) 架构。这项技术旨在为高压和大功率应用提供低导通电阻的碳化硅器件。Navitas 强调，8 mΩ 的导通电阻值使这款新型模块成为 SiCPAK 封装中导通电阻最低的解决方案之一。
Navitas公司碳化硅业务部副总裁兼总经理Paul Wheeler指出，新一代GeneSiC TAP拓展了碳化硅在超高压应用中的潜力。该公司将这些器件的目标客户锁定在需要兼顾功率转换能力、能源效率和长期运行可靠性的设备上。.
固态变压器
（SST）。这些系统利用电力电子技术实现能量转换功能，可作为新型配电架构的一部分。Navitas公司将其超高压SiC模块定位为变压器组件，用于将电网电力转换为人工智能数据中心机架中使用的高压直流母线。该系列新产品还面向电网级电池储能系统（BESS）、太阳能逆变器和兆瓦级电动汽车充电基础设施。
其他预期应用包括与氢气系统相连的电解、直流/直流转换、工业电机驱动和高压电源。.
采用绝缘电压超过 5 kV 的 AlN-AMB 基板。
除了半导体技术外，Navitas 还针对高功率应用进行了设计改进。该模块采用氮化铝 (AlN) 基板和活性金属钎焊 (AMB) 技术。这种结构旨在促进散热，并提供超过 5 kV 的绝缘能力。该产品系列还采用环氧树脂封装，旨在降低内部应力并限制水分和污染物的进入。
据Navitas公司称，该解决方案的导热系数是参考硅胶的十倍。这些特性旨在提高散热性能，并在严苛的工作条件下保护内部组件。
此外，还提供大电流压入式引脚和可选的导热材料。
这些模块采用大电流压入式连接。.
据制造商称，与标准压入式连接相比，这些引脚的单针载流能力是其两倍。Navitas 还提供预涂导热界面材料 (TIM) 的版本。此选项旨在简化模块到散热器的安装，并在组装过程中实现更均匀的导热材料涂覆。因此，该系列产品结合了不同的电气连接和散热管理配置，以满足每个系统的集成需求。.
AEC-Plus能源应用可靠性测试
，该测试是对AEC-Q101和JEDEC标准测试要求的扩展。该测试旨在评估器件在具有严苛运行周期的能源应用典型工况下的可靠性。计划中的测试包括动态反向偏置（DRB）测试和动态栅极开关（DGS）测试，旨在模拟高速开关应用的相关工况。
该资格认证还包括对某些高温高压静态测试（如 HTRB、HTGB 和 HTGB-R）进行三倍以上的测试时间。.
此外，该方案还包含扩展的功率和温度循环测试，以及针对功率模块、分立器件和已知良好芯片 (KGD) 的高压高温循环测试 (HV-H3TRB/HV-THB)。制造商表示，该方案是其满足能源和电力基础设施寿命要求战略的一部分。.
Navitas宣布G4H08MT23GB4系列芯片的样品现已上市，共有四种配置
可供评估：
参考配置 导热材料预涂引脚
G4H08MT23GB4 全桥 无 标准
G4H08MT23GB4-T 全桥 是 标准
G4H08MT23GB4HC 全桥 无 高电流
G4H08MT23GB4HC-T 全桥 是 高电流
这四款产品均保持了完整的桥接配置，并允许在标准连接或高电流连接之间进行选择，以及在带有或不带有预热接口的版本之间进行选择。.
用于评估开关特性的双脉冲测试平台：
为了方便工程师的工作，Navitas 还可根据客户需求提供 EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1 双脉冲测试系统。该平台旨在评估超高压 SiC 模块的开关特性。公司还提供其沟槽辅助平面架构 (TAP) 的技术文档，以解释该技术的特性。评估资源包括双脉冲测试系统的文档和 GeneSiC TAP 的技术文档。
Navitas 推出的 G4H08MT23GB4 系列产品扩展了其用于能量转换系统、储能和新型数据中心电源架构的超高压 SiC 模块产品线，将 8 mΩ 导通电阻与结构改进和扩展的可靠性认证计划相结合。.
