这些器件不仅拥有同类产品中最低的正向压降，还具备最低的结电容和最快的恢复时间。威世半导体今天推出的整流器包括VS-E7SX0112-M3V、VS-E7SX0212-M3V和VS-E7SX0312-M3V型号，以及通过AEC-Q101认证的VS-E7SX0112HM3V、VS-E7SX0212HM3V和VS-E7SX0312HM3V型号。为了降低开关损耗并提高效率，这些器件兼具50 ns的快速恢复时间、低至105 nC（典型值）的Qrr值、低至1.45 V的正向压降和低至7.25 pF的结电容。
这些坚固耐用的整流器采用紧凑的 4.3 mm x 6.5 mm 封装，高度仅为 1.1 mm，与 TO-277A 封装兼容，可提供高达 70 A 的非重复浪涌电流峰值。结合 5.4 mm 的最小爬电距离和 CTI ≥ 600（材料组 I）的封装材料，这些器件可减少元件数量并降低物料清单 (BOM) 成本，符合 IEC 60664-1 标准对高压应用的要求。.
VS-E7SX0112-M3V、VS-E7SX0212-M3V、VS-E7SX0312-M3V、VS-E7SX0112HM3V、VS-E7SX0212HM3V 和 VS-E7SX0312HM3V 型号二极管可用作反激式辅助电源和高频整流器中的阻断二极管、缓冲二极管和续流二极管，以实现自举驱动功能，同时还能为最新的高压 Si/SiC 快速开关 IGBT 和 MOSFET 提供退饱和保护。这些器件的典型应用包括工业驱动器和工具、集成充电器和电动汽车 (EV) 电机、能源生产和存储系统，以及 Ćuk 转换器和工业 SEPIC LED 电路。.
这些整流器采用扁平结构和铂掺杂，可延长使用寿命，确保系统可靠性和稳定性，同时不影响性能。其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗并降低功耗。这些符合 RoHS 标准且不含卤素的器件，根据 J-STD-020 标准，其湿度敏感等级 (MSL) 为 1，可在高达 +175 °C 的高温下工作。.
