因此，可以使用任何标准驱动IC。Inventchip IVCC1104图腾柱PFC驱动IC也易于使用，无需编程。它提供优化的交流过零控制、低THD和高抗交流干扰能力。.
陈迪 | CGD技术营销与业务拓展总监
“Inventchip公司曾推出一款基于其控制器和栅极驱动器的2.5kW TPPFC参考设计，该设计采用TO-247封装的SiC MOSFET。为了评估GaN的性能，Inventchip公司设计了一款TO-247适配器板，该适配器板采用我们P2 25 mΩ ICeGaN集成电路，ICeGaN设计无需任何电路修改即可完美运行。事实证明，ICeGaN能够显著缩短学习曲线，使工程师能够更快地将新产品推向市场。”.
钟烨博士 | INVENTCHIP 技术总监
“我们使用TO247-4适配器板焊接DFN封装的ICeGaN器件，在我们的EVM上进行快速测试。尽管栅极控制路径和控制电源走线相对较长，但该电路板首次上电即成功，并获得了干净的开关波形。从空载到满载，未观察到任何异常或自燃现象。GaN器件的性能非常出色。CGD GaN器件已被证明具有高抗噪性、易用性和高效率。”.
在低功率充电器设计中展现出其高效性和高功率密度后，氮化镓（GaN）正被服务器和数据中心电源、逆变器、工业DC/DC转换器以及LED驱动器的制造商广泛采用。预计功率超过100kW的电动汽车逆变器也将很快采用GaN。由于其久经考验的可靠性和稳定性，ICeGaN技术尤其适用于更高功率的应用。.
