集成电路

细节: 类别：集成电路; 2026年9月14日

Mouser Electronics, Inc. 现推出安森美半导体 (Onsemi) 的新型 GaNEXUS™ 氮化镓场效应晶体管 (GaN FET)。GaNEXUS GaN FET 利用 GaN 的宽带宽特性，可实现快速开关、降低输出和栅极负载以及提高效率等功能，适用于人工智能、数据中心、机器人、工业自动化和能源基础设施等应用。.

细节: 类别：集成电路; 2026年9月10日

在为工业应用设计电气隔离通信和信号采集电路时，大多数工程师仍然依赖于基于分立元件的解决方案：RS-485/CAN 总线收发器、数字隔离器和单独的隔离电源模块。.

细节: 类别：集成电路; 2026年9月9日

由于高性能FPGA和SoC、AI加速器以及下一代CPU中采用的先进FinFET工艺节点迅速普及，对低电压时钟驱动器的需求持续增长。然而，由于能够将高压时钟信号降低到这些先进器件所需低电压电平的标准1.2V LVCMOS时钟缓冲器和电平转换缓冲器的供应有限，印刷电路板设计人员面临着日益严峻的挑战。.

细节: 类别：集成电路; 2026年9月7日

Microchip Technology 和 Marelli 宣布推出一项新解决方案，该方案允许通过 ASA Motion Link (ASA-ML)（一种用于汽车视频连接的开放标准）将车辆中央计算机生成的图形和视频内容直接传输到汽车显示器。.

细节: 类别：集成电路; 2026年8月28日

Nanopower Semiconductor公司发布了nPZ2100，这是其nPZero™节能集成电路（PSIC）平台的最新成员。nPZ2100基于nPZero架构，使电池续航时间有限的传感器系统能够使用超低功耗互补集成电路运行。

细节: 类别：集成电路; 2026年8月20日

新顿科技宣布将于9月开始量产KA49703A和KA49713A电池监控集成电路（BMIC），这两款芯片针对人工智能服务器中使用的电池备用单元（BBU(*1)）进行了优化。.

细节: 类别：集成电路; 2026年8月12日

贸泽电子（Mouser Electronics, Inc.）提供联发科（MediaTek）的Genio 420物联网平台，该平台专为需要在设备上直接集成处理能力、连接性和人工智能（AI）及生成式人工智能（GenAI）功能的嵌入式设备而设计。Genio 420面向边缘计算应用，通过本地推理降低延迟并减少对云处理服务的依赖。.

细节: 类别：集成电路; 2026年8月6日

ROHM 开发了一种第二代太赫兹 (THz) 振荡器件，该器件利用了被称为谐振隧道二极管 (RTD) 的半导体元件。ROHM 通过 RTD-EVK-G2 太赫兹器件评估套件提供该器件，该套件包括一个样品器件、一根电缆和一个评估板。.

细节: 类别：集成电路; 2026年8月1日

瑞萨电子株式会社发布了第三代（Gen 3）DDR5多路复用双列直插式（MRDIMM）内存模块芯片组解决方案，可提供高达16,000兆传输/秒（MT/s）的服务器级DDR5 MRDIMM传输速度。该全新解决方案旨在满足人工智能（AI）数据中心、云基础设施和加速计算工作负载对更高内存带宽日益增长的需求。.

随着人工智能模型规模的扩大和计算工作负载对数据量的需求不断增长，系统架构师在不牺牲与现有服务器平台兼容性的前提下，面临着提供更高内存带宽的日益严峻的挑战。瑞萨电子第三代 MRDIMM 解决方案在利用现有 DDR5 基础架构的同时，内存带宽比第二代解决方案提升了 25%。因此，服务器平台无需进行颠覆性的架构变更即可实现更高的性能。.

瑞萨电子持续提供经过现场验证、可直接量产的 MRDIMM 平台，该平台涵盖 MRCD、MDB、电源管理集成电路 (PMIC)、串行存在检测集中器 (SPD) 和温度传感器。这种平台方案使客户能够在保持设计连续性的同时，实现 MRDIMM 性能的跨代扩展，并加速部署。.

第三代 MRDIMM 基于第二代成熟的 MRDIMM 架构，在保持标准 DIMM 外形尺寸和系统兼容性的同时，提升了性能。第三代还改进了系统可视性和稳定性，包括设备均衡自训练模式 (DESTM) 的质量指示状态，使用户能够微调接收器时序和均衡训练，从而最大限度地提高动态余量。.

除了性能提升之外，瑞萨电子第三代 MRDIMM 解决方案在设计时也充分考虑了系统级能效，帮助客户在不断增长的带宽需求与系统级散热和功耗限制之间取得平衡。详细的功耗对比信息将在产品文档中提供。.

AMD企业人工智能与计算平台解决方案工程副总裁Amit Goel表示：“AMD长期以来一直支持开放的、基于标准的技术，这些技术推动数据中心创新，并随着人工智能和高性能计算工作负载的不断发展而提供更大的灵活性。下一代内存格式的创新，例如MRDIMM和瑞萨芯片组，对于帮助业界实现更高的带宽、更高的效率和持续的平台可扩展性至关重要。”
瑞萨芯片内存接口事业部副总裁兼总经理Sameer Kuppahalli表示：“人工智能训练和推理工作负载正在从根本上重新定义数据中心基础设施的系统内存需求。为了满足这些工作负载对内存容量和性能的不断增长的需求，瑞萨芯片组推出了第三代MRDIMM芯片组组件，继续引领行业发展。我们的客户使用瑞萨芯片组组件的全套产品，不断突破内存性能和容量的极限。”

更多信息

细节: 类别：集成电路; 2026年8月1日

Mouser Electronics, Inc. 现已备有 STMicroelectronics ASM330LHHG1 六轴惯性测量单元 (IMU) 现货。ASM330LHHG1 传感器配备三轴数字陀螺仪和三轴数字加速度计，工作温度范围为 -40 至 +125 °C。.

细节: 类别：集成电路; 2026年7月29日

技嘉科技宣布推出全新GD24CL系列I²C EEPROM存储器。该系列产品性能卓越，安全保护机制全面，可靠性极高，能够满足关键配置数据稳定、长期存储的严苛要求。.

细节: 类别：集成电路; 2026年7月18日

东芝电子欧洲有限公司（简称“东芝”）推出TDS5B212MX和TDS5C212MX高速差分信号复用器（MUX）和解复用器（DEMUX）交换机。这两款新产品适用于服务器、工业测试设备、机器人及相关应用，并支持PCIe® 6.0和USB4® 2.0等高速接口。.

汽车音频总线

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第三代罗姆SiC SBD和全SiC模块，用于步进电机的Arduino扩展板

在2016年5月10日至12日于纽伦堡举行的PCIM展会上，ROHM Semiconductor将展示其最新的电源创新技术，这些技术可实现高速开关和高功率性能，同时满足更高的节能需求…….
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