它们还将在可再生能源领域找到应用，例如光伏 (PV) 逆变器和双向 DC-DC 转换器，例如用于给电动汽车 (EV) 充电的转换器。.

新款 TW015N65C、 TW027N65C、 TW048N65C、 TW083N65C 和 TW107N65C 均基于东芝先进的第三代 SiC 工艺，该工艺优化了
第二代器件中使用的蜂窝结构。

由于这项进步，以漏源电阻 (RDS(on)) 和漏栅负载 (Qg) 的乘积来计算的 FoM 代表了静态和动态损耗，提高了约 80%。.

与之前的器件一样，新的第三代 MOSFET 包含一个集成的 SiC 肖特基势垒，其正向电压 (VF) 低至 -1.35V（典型值），以抑制 RDS(on) 抖动，从而提高可靠性。.

这些新型器件能够处理高达 100A 的电流 (ID)，并且具有低至 15mΩ 的导通电阻 (RDS(on))。所有器件均采用行业标准的 TO-247 封装。.