这款 MOSFET 栅极驱动器专为配置功率多路复用器或负载开关电路而设计，该电路集成了反向电流阻断功能，并采用外部 N 沟道 MOSFET 的背靠背连接。TCK421G
 
具有电荷泵电路，支持 2.7 至 28.0V 的宽输入电压 (VIN) 范围，并为外部 MOSFET 的栅源电压提供稳定的 10V 电源，从而实现大电流开关。导通时的典型静态输入电流 (IQ(ON)) 最小值为 140mA，而关断时的待机电流 (IQ(OFF)) 仅为 0.5mA。此外，TCK421G 还具有过压和欠压保护功能。栅极控制电压可根据应用需求进行选择。
 
该器件采用 WCSP6G 封装，尺寸仅为 1.2 mm x 0.8 mm，高度为 0.35 mm。这是业内最小的封装之一，可用于可穿戴设备和智能手机等高密度设备。TCK421G
 
是该系列首款产品，该系列共包含六款产品。凭借其高效率和小尺寸，这款新型驱动器可广泛应用于各种领域，包括电池供电设备、消费电子产品和工业设备。

更多信息或报价