这一进步代表着与瑞萨 RCD Gen5 的 8800 MT/s 相比的重大飞跃，为数据中心服务器的内存接口性能树立了新的标杆。.
瑞萨DDR5 Gen6 RCD的主要特性
： - 带宽较Gen5 RCD提升10%（9600 MT/s vs. 8800 MT/s）
- 向下兼容Gen5平台，方便升级
- 信号完整性和电源效率提升，是AI、HPC和LLM工作负载的理想之选
- 扩展的决策反馈均衡（DFE）架构，具有8个级别和1.5 mV的粒度，可实现更优的裕量调节
- 决策引擎和信号遥测（DESTM）功能，可进行系统级诊断、实时信号质量监控和高速反馈
新型DDR5 RDIMM内存模块对于满足人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和数据中心应用日益增长的内存带宽需求至关重要。瑞萨电子在这些新型内存模块的设计、开发和部署过程中发挥了关键作用，并与包括CPU和内存制造商以及终端用户在内的行业领导者开展了合作。
瑞萨电子凭借其在信号完整性和电源优化方面的专业技术，不断巩固其在DDR5 RDIMM控制器领域的领先地位。
瑞萨电子内存接口事业部副总裁Sameer Kuppahalli表示：“生成式人工智能的爆炸式增长正在推动SoC芯片核心数量的增加，从而对带宽和内存容量提出了前所未有的需求。我们的DDR5 Gen6时钟控制器体现了瑞萨电子对创新和提供满足市场需求的解决方案的持续承诺。”.
三星电子DRAM产品规划副总裁金仁东表示：“三星与瑞萨电子在多代内存接口组件方面开展了合作，包括第五代DDR5 RCD和PMIC5030的认证。现在，我们很高兴将第六代RCD集成到我们面向各种SoC平台的DDR5 DIMM模块中，以满足人工智能、高性能计算和其他内存密集型工作负载日益增长的需求。”.
