作为首款 SFPMOS™（屏蔽场镀网状 MOSFET™）产品，其在栅极电压 U_GS = 1V 时，导通电阻 Rds(on) 仅为 4 mΩ。击穿电压 U_BR 为 40V。低于此阈值电压时，在宽广的温度范围内，漏电流极低。在 25°C 的工作温度下，漏电流远低于 1 微安，即使在 150°C 时也仅为 1 mA。因此，SFPMOS™ 特别适用于移动设备或对电池续航时间要求较高的应用。SFPMOS
™ 系列包含击穿电压从 8V 到 200V 的功率晶体管，并提供多种封装选择，包括 SC-75/SOT-416、3x3 PQFN 和 5x6 PQFN。

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