为了满足这些要求，Microchip Technology Inc. 今天宣布扩展其碳化硅产品组合，推出一系列未封装、分立、高效率、高可靠性的1700V 碳化硅 MOSFET 功率模块。
Microchip 的 1700V 碳化硅技术是硅 IGBT 的替代方案。以往的技术由于硅 IGBT 损耗导致的开关频率限制，迫使设计人员在性能上做出妥协，并采用复杂的拓扑结构。此外，变压器会增加电力电子系统的尺寸和重量，而只有提高开关频率才能减小变压器的尺寸。.
新型碳化硅产品系列使工程师能够利用更少的元件、显著更高的效率和更简单的控制技术，将IGBT的性能提升到一个新的水平，实现两电平拓扑结构。由于没有开关限制，可以显著减小功率转换单元的尺寸和重量，从而腾出空间用于建设更多充电站、提升客运和货运能力，或增加重型车辆、电动巴士和其他电池驱动商用车辆的续航里程和运行时间——所有这些都能以更低的系统总成本实现。.
“交通运输领域的系统开发人员不断被要求制造能够容纳更多人员和货物的车辆，但它们的尺寸却不能再大了，”Microchip 分立产品业务部门副总裁 Leon Gross 说。.
“实现这一目标的最佳途径之一是大幅减小采用高压碳化硅功率器件的电力转换设备的尺寸和重量。这些在交通运输领域带来的优势同样适用于许多其他工业应用。”.
其关键特性之一是栅极氧化层的稳定性。Microchip 在重复无阻塞电感开关 (R-UIS) 测试中，即使经过 10 万次脉冲，阈值电压也未发生变化。R-UIS 测试还表明，该器件具有优异的抗雪崩能力和参数稳定性，以及栅极氧化层稳定性，并在整个系统寿命周期内都能可靠运行。.
这种无衰减的结构二极管可以省去碳化硅 MOSFET 所需的外部二极管。由于其短路耐受能力与 IGBT 相当，因此能够克服危险的瞬态电流。在 0 至 175 °C 的结温范围内，其导通电阻 (RDS(on)) 曲线更为平坦，使得电源系统比其他对温度更敏感的碳化硅 MOSFET 具有更高的稳定性。.
Microchip 通过其可编程数字栅极驱动器AgileSwitch®系列以及各种标准和可定制规格的分立封装和功率模块，促进其技术的应用。这些栅极驱动器有助于加速碳化硅器件从实验室到量产的研发进程。
Microchip 的其他碳化硅产品包括 700V 和 1200V 系列 MOSFET 和肖特基势垒二极管，这些产品以散装、分立封装以及功率模块的形式供应。Microchip 正在整合其内部散装碳化硅器件的生产，并推出低电感功率封装和可编程数字栅极驱动器，从而帮助设计人员打造最高效、最紧凑、最可靠的终端产品。.
该公司提供的完整系统解决方案还包括微控制器、模拟电路和外围设备、通信技术、无线网络和安全等一系列产品。.
开发工具
Microchip 的MPLAB® Mindi ™模拟仿真器与 SPICE 碳化硅仿真模型兼容，为系统开发人员提供在硬件设计之前模拟开关特性所需的资源。智能配置工具 (ICT) 使设计人员能够为 Microchip 的 AgileSwitch® 系列可编程数字门驱动器开发高效的碳化硅栅极驱动器模型。
可用性
Microchip 的未封装、分立式 1700V 碳化硅 MOSFET 和功率模块现已接受各种封装的订单。.
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