采用新型TaRF8工艺制造的射频开关集成电路（即新型SP12T工艺[1]）实现了同类产品中最低的插入损耗[2] [3] 。采用新工艺制造的SP12T射频开关集成电路样品将于2016年1月开始出货。
SP12T射频开关IC专为智能手机应用而设计，集成了用于移动应用的MIPI-RFFE控制器 [4] 。该器件适用于符合3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE和LTE-Advanced标准的设备 [5]。
采用新型 TaRF8 SOI CMOS [6] 前端工艺的产品在同类产品中实现了最低的插入损耗，在 2.7 GHz 频率下仅为 0.32 dB。与采用东芝现有 TaRF6 工艺的产品相比，插入损耗降低了 0.1 dB，同时保持了相同的失真特性。
随着移动通信中高速数据传输、大容量数据传输以及移动设备和智能手机中使用的集成射频开关电路的发展趋势，对多端口支持和射频性能提出了更高的要求。降低插入损耗被认为是其中尤为重要的因素，因为它能减少射频传输功率损耗，从而延长移动设备的电池续航时间。.
东芝利用自主研发的SOI CMOS技术，开发高性能射频开关集成电路，该技术适用于集成模拟和数字电路。通过管理从射频工艺技术开发到射频开关芯片设计和制造的整个生产流程，东芝能够根据自身射频开关集成电路开发过程中的反馈，快速改进其SOI CMOS工艺技术。这种集成器件制造商（IDM）模式使东芝能够快速建立适用于现有产品的新工艺技术，并以采用最新工艺技术制造的产品进入市场。.
东芝将继续提升其TarfSOI工艺技术的性能，并通过抢先推出下一代技术产品，满足客户和市场对射频开关集成电路的需求。
注释：
[1] 单极十二掷开关；
[2] 截至2015年11月20日的射频开关集成电路市场。东芝调查；
[3] 射频信号通过开关传输时产生的功率损耗，以分贝(dB)表示；
[4] 用于控制移动设备射频组件的串行总线接口规范，由MIPI（移动产业处理器接口）联盟的前端射频(RFFE)工作组制定；
[5] 由3GPP（第三代合作伙伴计划）制定的移动通信标准。
[6] 通过在 MOSFET 沟道下方使用绝缘层来降低寄生电容的技术。SOI：绝缘体上硅
* TarfSOI 是东芝公司的商标。.
