新型功率 MOSFET 具有极低的导通电阻 (RDS(on)),可显著降低导通损耗,提供 20V 和 30V 两种电压规格,并有 N 沟道和 P 沟道两种结构可选。这些器件采用 12Vgs 起步即可实现最大栅极控制,是串联两节电池的电池保护电路的理想之选。IRL6297SD 采用紧凑高效的 DirectFET® Small Can 封装,包含两个共漏极配置的 20V N 沟道 MOSFET。IR
丰富的电池管理 MOSFET 产品组合提供标准封装以及适用于紧凑型设计的双 Small Can DirectFET® 封装。由于该平台具有极低的 Rds(on),这些器件可用于替代尺寸更大的 MOSFET,从而节省电路板空间并降低系统成本。
所有器件均符合 MSL1 和 RoHS 标准,且不含铅、溴和卤素。
- 细节
- 类别: 集成电路
采用IR公司最先进的低压MOSFET的器件,适用于锂离子电池保护应用
国际整流器公司宣布推出一系列采用IR最先进的低压MOSFET的器件,用于锂离子电池保护应用。其中包括IRL6297SD双通道N沟道DirectFET® MOSFET。.
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