Nexperia宣布其第二代650V功率GaN FET系列产品正式量产，与之前的技术和同类产品相比，性能优势显著。该系列新型功率GaN FET的典型导通电阻(RDS(on))高达35 mΩ，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关电源(SMPS)，尤其适用于必须满足80 PLUS®钛金级能效标准的服务器和电信电源。此外，该系列器件同样适用于相同功率范围的太阳能逆变器和伺服驱动器。
采用TO-247封装的全新650V H2功率GaN FET在相同RDS(on)值下尺寸缩小了36%，从而显著提升了稳定性和效率。

级联配置无需复杂的驱动器，从而加快了产品上市速度。这些器件在硬开关和软开关配置下均表现出色，为设计人员提供了最大的灵活性。Nexperia
GaN 战略营销总监 Dilder Chowdhury 解释道：“钛是 80 PLUS® 规范中要求最高的，要求在满载条件下效率 >91%（50% 负载下 >96%）。在 2 kW 及以上的服务器电源应用中，使用传统硅器件实现如此高的性能水平非常复杂且具有挑战性。Nexperia 的新型 GaN 功率 FET 非常适合简洁的无桥图腾柱配置，这种配置使用更少的元件，并可减小物理尺寸和降低成本。”
Nexperia 的 GAN041-650WSB GaN FET 现已批量供应。

产品数据手册和快速学习视频。
5月3日至7日PCIM数字日期间参观Nexperia展位，亲眼见证Nexperia的GaN FET的实际应用。