Power Integrations 的专利 1250V PowiGaN 技术的开关损耗不到同等电压下硅器件的三分之一。因此，其功率转换效率高达 93%，无需散热器即可实现非常紧凑的反激式电源，输出功率高达 85W。.
正如Power Integrations公司技术副总裁Radu Barsan所说： “Power Integrations持续推进高压GaN技术的研发和商业化部署，使得即使是最好的高压硅MOSFET也黯然失色。2019年，我们率先实现了GaN电源IC的大批量商业化，并在今年早些时候推出了900伏版本的GaN InnoSwitch产品。我们持续研发更高电压的GaN技术，例如我们新推出的1250伏器件，将GaN的效率优势扩展到更广泛的应用领域，包括许多目前由碳化硅技术驱动的应用。”
使用新型 InnoSwitch3-EP 1250 V IC 的设计人员可以放心地指定 1000 V 的峰值工作电压，这比行业标准的绝对最大电压 1250 V 降低了 80%。这为工业应用提供了很大的灵活性，在严苛的电网环境中尤其有价值，因为在这些环境中，稳健性是抵御电网不稳定、浪涌和其他电力干扰的重要保障。
供货情况及资源
：样品现已提供；1250V InnoSwitch3-EP 集成电路的交货周期为 16 周。采用 INSOP-24D 封装的 1250V InnoSwitch3-EP 器件的定价为每 10,000 片 3 美元起。参考设计 DER-1025（描述 12V、6A 反激式转换器）
