HSD 的反向恢复时间 (Trr) 受温度影响极小，确保在宽温度范围内实现快速开关。TK5P60W5
（Id = 4.5A，RDS _(on) = 0.99 Ω）采用该系列中最小的封装——DPAK (A-252) 封装，典型二极管反向恢复时间为 65 ns。其 370 pF 的输入电容 (Ciss ₎和仅 11.5 nC 的 QGof 支持高效的开关操作。
新型 TK62N60W5（ _RDS(on ): 0.045 Ω）是该系列中尺寸最大的 MOSFET，采用 3 引脚 TO-247 封装，支持最高的输出功率 Id = 61.8A。其典型二极管 Trr 为 17 ns，Ciss_为6500 pF，QGof 为 205 nC。
东芝的 DTMOS IV-H 芯片采用“深沟槽”技术制造，与传统超结 MOSFET 相比，该技术在高温下可提供更低的导通电阻 (R_{_DS(ON)} )。此外，与上一代技术相比，该技术还具有更低的关断损耗 (E _{_OSS} )。高温下R _{_DS(ON )}增幅较小以及二极管 Trr 降低，共同
目前两款器件均有样品提供，其中 TK62N60W5 已计划量产，TK5P60W5 计划于 2015 年 10 月量产。

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