这些器件采用标准 TO-247 封装，为工业和节能应用提供一流的性能。
新款 Gen8 器件的电流范围为 8A 至 60A，典型 VCE(ON) 为 1.7V，短路响应时间为 10µs，从而降低了功耗，提高了功率密度和鲁棒性。这项新技术
通过最大限度地降低 dv/dt，为电机驱动应用提供了更平滑的导通特性，从而降低了电磁干扰 (EMI) 和过电压，同时提高了可靠性和鲁棒性。精确的参数分布确保了多个 IGBT 并联时具有出色的电流分配性能。薄晶圆技术提高了热阻，最高结温可达 175°C。
- 细节
- 类别： 集成电路
1200V Gen8 IGBT，采用标准 TO-247 封装
国际整流器公司推出新一代IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术平台。第八代（Gen8）1200V IGBT平台采用IR最新一代沟槽栅极场截止技术。
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