ir6966a hresweb这些新型器件采用IR公司的超薄晶圆场截止技术，可降低导通损耗和开关损耗。这些器件与低Qrr软恢复二极管采用同一封装，最小短路时间为10 µs，专为严苛的工业应用而优化。
 
这些新型1200V沟槽IGBT具有极低的导通电压Vce(on)和显著降低的开关损耗，同时提高了系统效率和瞬态响应，从而增强了可靠性，使其非常适合严苛的工业环境。
 
封装后的器件电流范围为10–50 A。其他主要优势包括最高结温Tjmax为150°C，Vce(on)具有正温度系数以方便并联，以及更低的Vce(on)以降低功耗并实现更高的功率密度。此外，还提供散装产品。

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