这款新型器件适用于多种应用，例如工业设备中的开关电源，包括通信基站和数据中心等应用。

新型 TPH9R00CQH MOSFET 的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 极低ON) 降低了约 42%。关键性能指标 (FoM)，包括 RDS(ON)×QSW 和 RDS(ON)×QOSS，分别降低了约 20% 和 28%，从而提升了器件性能。

通过对器件结构的精心优化，负载特性也得到了改善。该器件的总栅极电荷 (Qg) 仅为 44 nC，栅极开关电荷 (QSW) 仅为 11.7 nC，因此具有出色的性能，尤其适用于高速应用。

新型 TPH9R00CQH 提供两种表面贴装器件 (SMD) 封装选项：SOP Advance (5.0 mm x 6.0 mm) 和 SOP Advance(N) (4.9 mm x 6.1 mm)，可根据任何应用的需求进行选择。

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