尤其是在工业设备和汽车系统领域。此次产品发布，封装制造外包给了经验丰富的OSAT（半导体封装测试外包）供应商威海ATX半导体有限公司（以下简称ATX）。.
提高电机和电源的效率已成为实现低碳社会的一项重大挑战，因为电机和电源消耗了全球大部分电力。由于功率器件是提高效率的关键，因此采用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等新型材料有望进一步提高电源效率。.
ROHM于2023年4月开始量产其第一代650V GaN HEMT，随后发布了将栅极驱动器和650V GaN HEMT集成于单个封装中的功率级IC。此次，ROHM进一步开发了该产品，将第二代元件集成到TOLL封装中，并将其添加到现有的DFN8080封装中，从而增强了ROHM的650V GaN HEMT封装产品线，以满足市场对更小巧、更高效的高功率应用的需求。.
新产品采用TOLL封装，集成第二代GaN-Si芯片，在器件导通电阻与输出负载相关性指标（RDS(on) × Qss）方面达到业界领先水平。这有助于提高需要高耐压和高速开关的电源系统的微型化程度和能源效率。.
为了实现量产，ROHM 利用其专有技术和器件设计专长，以及通过垂直整合的生产体系积累的经验，开展了设计和规划工作。根据 2024 年 12 月 10 日宣布的合作协议，前端工艺由台积电 (TSMC) 负责，后端工艺由 ATX 负责。此外，ROHM 还计划与 ATX 合作生产车规级氮化镓 (GaN) 器件。.
为了应对汽车行业对氮化镓器件日益增长的需求（预计到 2026 年这一需求将进一步加速增长），ROHM 计划通过加强这些合作关系，以及推进自身的研发工作，来确保汽车级氮化镓器件的快速推出。.
ATX半导体（威海）有限公司顾问兼总经理廖洪昌表示
“我们非常荣幸能获得ROHM的委托进行生产。ROHM是一家国际知名的公司，拥有先进的制造技术和完善的生产设施，涵盖从晶圆制造到封装的各个环节。我们与ROHM的技术交流始于2017年，目前正在探索更深入合作的机会。ATX在GaN器件后端制造领域的丰富经验和技术专长促成了此次合作。展望未来，我们还计划与ROHM合作开发车规级GaN器件。通过加强合作，我们希望为各行业的节能减排做出贡献，助力构建可持续发展的社会。”
ROHM株式会社亚太区生产基地总经理藤谷聪表示
：“我们很高兴成功生产出采用TOLL封装的650V GaN HEMT器件，并取得了令人满意的性能。ROHM不仅提供独立的GaN器件，还提供将GaN器件与集成电路相结合的功率解决方案，充分利用ROHM在模拟技术领域的专业知识。我们在产品设计中积累的知识和理念也应用于器件开发。与拥有卓越先进技术能力的OSAT供应商（例如ATX）合作，使我们能够在快速增长的GaN市场中保持领先地位，同时发挥ROHM的优势，将创新器件推向市场。未来，我们将继续提升GaN器件的性能，推动其在各种应用中进一步小型化和提高效率，从而为丰富人们的生活做出贡献。”
EcoGaN™
是 ROHM 推出的全新 GaN 器件系列，它通过最大限度地发挥 GaN 的特性，在应用中实现更低的功耗、更小的外围组件以及更简单的设计，从而助力节能和小型化。EcoGaN
™ 是 ROHM 株式会社的商标或注册商标。
产品系列
应用示例：
服务器、通信基站、工业设备等多种设备的电源供应。例如
交流适配器（USB充电器）、光伏逆变器、SAE（储能系统）。
它们可安装在输出功率从500瓦到1千瓦的各种电源系统中。
