IRFH7185TRPbF 采用公司全新的 100V FastIRFET™ 工艺，实现了基准级的 Rds(on)*Qg 性能因子，从而提高了效率、功率密度和系统可靠性。IRFH7185TRPbF
 
具有超低的 Rds(on)，与其他器件相比显著降低了栅极负载，从而在小负载和大负载下均能实现高性能。全新的 100V FastIRFET™ 器件架构使雪崩电流密度提高了 20%，使其成为市场上电信应用领域最可靠的 DC/DC 电源解决方案。IR
 
的 FastIRFET™ 器件可与任何控制器或驱动器配合使用，在小尺寸封装中提供设计灵活性以及更高的电流、效率和频率额定值。IRFH7185TRPbF 已获得工业级认证，湿度敏感等级为 1 级 (MSL1)，并采用标准的 PQFN 5x6 封装，其材料符合环保、无铅和 RoHS 标准。

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