此外，新款器件在雪崩模式和线性模式下均表现出更优异的性能，从而显著提升了器件的稳健性和可靠性。Nexperia
产品营销经理 Neil Massey 评论道：“新款 8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET 融合了最新的高性能超结硅技术和我们久经考验的 LFPAK 铜夹技术，后者以其卓越的电气和热性能优势而闻名。由此带来的低 RDS 值使我们能够在封装内集成更多硅片，从而提高功率密度并缩小器件尺寸。”
新款功率 MOSFET 的尺寸仅为 8 x 8 x 1.7 mm，并具有同类领先的线性模式/安全工作区 (SOA) 特性，可在高电流条件下实现安全可靠的开关。由于硅片和封装的协同作用，在 1 ms 和 20 VDS 的工作条件下，SOA 为 35 A；而在 10 ms 和 20 VDS 的工作条件下（此时封装性能占主导地位），SOA 为 17 A。这些数据比竞争对手高出 1.5 到 2 倍。这些器件还拥有 2.3 J 的最佳单脉冲雪崩 (EAS) 额定值和 500 A 的超强感应电流额定值，与某些竞争产品不同，这是实测极限而非理论极限。Nexperia
的 8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET 具有尺寸和性能优势，设计人员可以用单个 LFPAK88 替代两个并联的旧元件，从而简化制造工艺并提高可靠性。符合 AEC-Q101 标准的 BUK7S0R5-40H 元件的可靠性是汽车标准的两倍以上，适用于制动、动力转向、电池反接保护、电子熔断器、DC-DC 转换器和电机控制等应用。PSMNR55-40SSH 工业级 MOSFET 适用于电动工具、家用电器、风扇以及电动自行车、电动滑板车和电动轮椅等应用中的电池隔离、限流、电子熔断器、电机控制、同步整流和负载切换等应用。

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